性能50倍于7nm芯片：美国复活90nm工艺

性能50倍于7NM芯片：美国复活90NM工艺

芯研所7月14日消息，美国晶圆厂SKYWATER日前宣布获得美国国防部下属的DARPA的进一步资助，后者将给予2700万美元以推动开发90NM战略抗辐射 (RH90) FDSOI 技术平台，总的投资计划高达1.7亿美元。

相比台积电、三星、INTEL等半导体公司，SKYWATER不仅规模小，而且资历也浅，2017年成立，晶圆厂主要来源于赛普拉斯半导体公司的芯片制造部门，工艺并不先进，主要生产130NM及90NM，部分先进芯片才到65NM级别。

芯研所采编

然而他们却得到了美国DARPA的青睐，成立没多久就开始参与后者的ERI电子复兴计划，该计划在5年内投资15亿美元，推动美国半导体行业发展。ERI计划中，SKYWATER并没有追求技术更强但更昂贵的先进工艺，而是用90NM工艺制造3D SOC芯片，通过集成电阻RAM、碳纳米管等材料实现更强的性能，性能可达7NM芯片的50倍。

这些技术现在还没有实现完全突破，毕竟这样的做法是之前没有的，一旦成功了，可能是改变半导体行业规则的新技术。

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