台媒:三星率先量产3纳米,但在芯片良率、功耗和效能上仍不及台积电

2023-10-24 10:24:17

集微网消息,7月12日,据台媒《经济日报》报道,法人圈传出,三星明年度旗舰机GALAXY S23将舍弃自家芯片,全数采用由台积电4纳米生产的高通下一代骁龙8 GEN 2处理器。

报道称,三星宣布领先台积电生产3纳米芯片,却在最重要的手机产品线舍弃采用自家生产的手机芯片,全数搭载台积电操刀的高通处理器。法人解读,这意味三星晶圆代工实力仍不及台积电,即便3纳米领先同行量产,在关键的芯片良率、功耗、效能表现仍不及台积电。

根据法人圈访查,三星在今年推出的GALAXY S22旗舰机型中有七成搭载高通骁龙8 GEN 1处理器,其余三成为采用AMD RDNA 2架构为基础设计的自家“EXYNOS 2200”芯片。

报道指出,高通骁龙8 GEN 1处理器以三星4纳米制程生产,但问世后状况频频,屡出现过热等问题。高通为此回头找台积电,推出更新版的“骁龙8 GEN 1 PLUS”,并以台积电4纳米制程投片。当时,业内已出现三星制程技术不如台积电的声浪。

即便三星持续对外宣称自家晶圆代工技术在3纳米世代取得领先,但外媒SAM MOBILE报道,三星考量自家生产的下一代手机芯片“EXYNOS 2300”功耗不佳,明年旗舰机GALAXY S23系列将全数改用高通将在今年底推出的新款旗舰芯片骁龙8 GEN 2,以让新机拥有更好的性能和更佳的功耗表现。

报道认为,虽然市场先前几度传出高通为三星晶圆代工的良率表现所困扰,但高通对此议题并没有对外评论多谈。倒是针对与晶圆代工厂之间的合作,高通保持多方押宝。其高层此前就表示,将维持多晶圆厂的合作策略,这点尤其是在供货吃紧时,可以使其维持灵活弹性。

三星往年都在年度首季发表S系列旗舰机,业界预期,GALAXY S23将在明年第1季度问世,据传最顶级的GALAXY S23 ULTRA将配备2亿像素主相机,拍照能力将大幅提升,屏幕则是使用曲面设计,相机模组设计则变成一个大镜头搭配三个小镜头。(校对/隐德莱希)

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